IBM日前表示將開發在碳納米管上融合一片集成電路的器件。該技術有望加快下一代芯片產品的面世。 
       據近日發行的《科學》期刊報道稱，IBM研制了五級環形振蕩器，由12個并排的場效應晶體管(FET)組成，沿著單個碳納米管的長度排列。 
       IBM表示，“通過調整所使用的單個P型和N型FET的門級工作功能，實現了互補金屬氧化半導體結構。”該器件融合了碳納米管和FET的優勢。“單壁碳納米管(SWCNTs)展現了的電氣特性，如經過數百納米室溫下的彈道傳輸。” 
       該公司表示，“由單個管制成的場效應晶體管顯示的直流性能規范可與那些水平的硅器件匹敵。下一重大舉措將是在SWCNT上加工集成電路，以研究SWCNT的高頻交流能力。”