三星電子公司日前宣布，將開始量產1Gb容量的OneNAND閃存，采用70納米制造工藝。不到18個月之前，三星宣布開發出采用90納米工藝的1Gb容量OneNAND閃存器件。OneNAND閃存初設計用于手機的存儲設備，該器件結合NOR閃存的高速讀取數據功能和NAND閃存的數據存儲密度。這種單芯片基于NAND閃存架構，集成了數據緩存和邏輯接口。

       新的OneNAND內存面向移動手持設備，包括數碼相機用的存儲卡和磁盤驅動設備。三星表示，OneNAND閃存具有高達每秒108Mb的持續讀取速度，以前的90納米OneNAND器件持續寫速度為每秒68Mb。在寫速度方面為每秒9.3Mb，這與90納米器件相同。

       據稱，這款70納米的存儲器已被設計用于超過100種移動產品，包括數碼相機、機頂盒和數字電視。三星公司預測，2008年OneNAND的銷售量將達到10億美元，到2010年將超過15億美元。