Anadigics日前宣布，已被批準獲得射頻集成電路領域5項以上的(美國)專利，因而在RFIC領域取得了“競爭優勢”。
專利6,937,102號描述了一種用于線性功率放大器的低偏置電流/溫度補償新方法。該設計提高了整個電路的功效且包含一個溫度補償電路以調節放大器的偏置，從而在寬溫度范圍內獲得穩定性能。 
       另一項專利6,970,039號宣稱通過使用專門設計的偏置電路并結合異質結雙極型晶體管(HBT)和場效應晶體管(FET)工藝，極大地提高了功率放大器的效率。 
       專利6,998,920號覆蓋了具有限流FET的厚模制造HBT放大級，FET結構據稱在嚴重負載失配和/或過高驅動期間，通過限制基極或集電極電流的辦法改善了器件的耐受性能。 
       Anadigics介紹說，專利7,009,454號的創新形成了用可調輸出范圍來優化放大器的基礎。該電路通過采用諧振元件在寬的功率電平范圍內提供持續的工作參數，改進了許多功率電平上的功效。 
       專利7,015,519號的授予，保護了在同一裸片上制做GaAs雙極和FET結構的技術，該公司已經采用此技術實現InGaP-Plus工藝，從而獲得比其它工藝更高的集成度和性能。