美國英特爾日前公布了將于2006年第4季度（10～12月）在業(yè)界率先量產(chǎn)的65nm工藝NOR型閃存的開發(fā)情況。將在量產(chǎn)之前于2006年6月面向手機廠商開始1Gbit產(chǎn)品的樣品供貨（參閱本站報道1）。將在目前正在量產(chǎn)90nm工藝產(chǎn)品的以色列“Fab18”工廠生產(chǎn)。容量包括128M、256M、516M及1Gbit四種。
      利用同一架構(gòu)實現(xiàn)90～45nm三種工藝
       65nm工藝產(chǎn)品相當(dāng)于該公司已于2005年11月開始量產(chǎn)的90nm工藝NOR型閃存“M18”的第2代產(chǎn)品（參閱本站報道2）。雖然讀取速度與90nm工藝產(chǎn)品相同，不過寫入速度通過改進緩沖電路等，從90nm工藝產(chǎn)品的475KB/秒提高到了650K～1MB/秒。該公司認為，在位單價更低、性能更出色的65nm開始供應(yīng)后，便可盡早替代90nm工藝產(chǎn)品。
       內(nèi)存單元及電路的基本構(gòu)成與90nm工藝產(chǎn)品相同。“在開發(fā)90nm工藝產(chǎn)品時，構(gòu)筑了能夠支持90nm、65nm及45nm三種工藝的架構(gòu)。這樣，便可在減輕手機廠商開發(fā)負擔(dān)的同時，生產(chǎn)方面也可在短時間內(nèi)轉(zhuǎn)入65nm工藝”（英特爾）。具體來說，通過事先采用適于MLC（多值單元）的讀取及寫入的電路構(gòu)成，便可在從90nm工藝轉(zhuǎn)入65nm工藝時輕松實現(xiàn)對MLC的支持。一直到90nm工藝產(chǎn)品，該公司通常均采用從1位/單元的SLC（單值單元）開始量產(chǎn)的做法，而65nm工藝則將從投產(chǎn)階段便量產(chǎn)2位／單元的MLC。
       接口的電氣特性以及執(zhí)行寫入、讀取的指令代碼等的規(guī)格也在90～45nm工藝中實現(xiàn)了通用化。這樣，手機廠商在替代配備NOR型閃存的機型時，就無需再對軟件以及LSI的管腳配置等進行變更。英特爾不僅在自主NOR型閃存方面，而且在與意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品方面也實現(xiàn)了電氣特性等規(guī)格的通用化（參閱本站報道3）。
       對于繼65nm工藝之后的45nm工藝，該公司估計采用與90nm及65nm相同的架構(gòu)便可實現(xiàn)。量產(chǎn)時間尚未確定，不過據(jù)說“如果能夠保持此前的微細化的發(fā)展速度，便有望在兩年后（2008年下半年）從65nm工藝轉(zhuǎn)入45nm工藝”（英特爾）。而且估計45nm工藝還將實現(xiàn)對MLC的量產(chǎn)。