意法半導體(STMicroelectronics)為其即將上市的4Gb NAND閃存芯片采用了復雜的片上誤碼校正(ECC)技術。 
       隨著NAND開始發揮存儲代碼和數據的雙重角色，誤碼校正的重要性日漸突出。一般來說，MP3音頻文件中丟失數據通常無關緊要，但是，電話呼叫中丟失數據就可能就會造成掉線。

 Casagrande:片上BCH算法是透明的。

       在舊金山舉行的國際固體電路大會上，ST演示了2位/單元架構的工作，它不同于更為傳統的誤碼校正技術之處就是采用了BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)算法。 
       目前，許多客戶把誤碼校正放在存儲控制器上，但是那樣就需要關于ECC技術的知識，且很難實現BCH算法。ST公司存儲產品部研發總監Giulio Casagrande說：“當你把它嵌入芯片中時，BCH ECC對客戶幾乎是透明的。而且，ECC模塊的面積只有1.3mm2，非常小。” 
       ST公司多級NAND開發經理Rino Micheloni表示：“對單級NAND芯片進行誤碼校正十分容易。可是對于多級NAND，你可能想象復雜度僅僅加倍，但是，實際上誤碼校正的復雜度成千上萬倍地增加。” 
       對于大多數客戶來來說，BCH校正方案很難在系統級實現，Micheloni介紹說，所以片上方法更為可行，特別是對多級單元(MLC)產品。將ECC嵌入控制器之中也會導致讀吞吐量急劇下降，但是ST公司的4Gb MLC NAND芯片卻能夠達到40Mbps的讀吞吐量，他強調說。 
       根據市場研究公司iSuppli的數據，ST正在加大NAND閃存業務，2005年該公司這部分的收入為8900萬美元，占全球NAND市場的2.5%；預計2006年ST的NAND產量將翻番，到第四季度達到5500萬片512Mb產品。目前，三星以50%的占有率主宰市場，其次是東芝公司和快速成長的Hynix半導體公司。 
       Casagrande透露ST和Hynix在三年前就建立了NAND技術和設計聯盟，其中包括共享中國無錫的新建300mm晶圓廠的產能。4Gb NAND芯片現在可以提供樣片，初的生產安排在新加坡，然后在無錫實現量產。

圖2: 片上BCH誤碼校正(位于4Gb NAND閃存的右下角)僅增加1.3mm2的占位面積。

       “當然，現在2位/單元產品還很少，但是每一家供應商都優先發展該產品的話，我們認為2-3年之后，它將成為主流產品，”Casagrande預測說，“NAND 將經歷與NOR一樣的轉移，現在所有128和512Mb NOR器件都是2位/單元。”
作者: 來大偉