半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將邁入下一波擴產(chǎn)高峰？晶圓廠密集的臺灣合計有10座12寸晶圓廠正規(guī)劃興建中，其中，以力晶集團計劃興建五座12寸晶圓廠積極。
      臺積電啟動南科廠三期試樁作業(yè)，將興建兩座12寸晶圓廠，引起同業(yè)注意。臺灣正規(guī)劃10座12寸晶圓廠，其中以DRAM記憶體業(yè)者態(tài)度積極。由于記憶體業(yè)者的8寸晶圓廠生產(chǎn)DRAM等記憶體已不具成本優(yōu)勢，各大記憶體廠紛紛投入12寸晶圓廠及90奈米以下的新世代制程。
      力晶擴充12寸廠，除了新購入旺宏12寸廠的廠房，規(guī)劃量產(chǎn)快閃記憶體Nand Flash，且大手筆投資3,000億元在臺中科學(xué)園區(qū)規(guī)劃四座12寸廠用地，若以每座廠月產(chǎn)能6萬片計，光是中科產(chǎn)能便高達24萬片12寸晶圓。
      南科、華邦的首座及第二座12寸廠分別位于臺北縣泰山鄉(xiāng)及中科園區(qū)；茂德預(yù)計在中科12寸廠隔壁再打造一座廠區(qū)，形成雙子星式的12寸廠。
      臺積電12寸廠產(chǎn)能現(xiàn)呈現(xiàn)滿載，反觀，聯(lián)電目前12寸廠產(chǎn)能尚未滿載，短期內(nèi)應(yīng)以滿足客戶需求及達成既有12寸廠效益為目標，對與建新的12寸廠較不積極。
      設(shè)備業(yè)者表示，今年積極擴充12寸廠的當(dāng)推DRAM業(yè)者。由于DRAM產(chǎn)業(yè)正逢0.10微米跨入90奈米世代，未來奈米制程將普遍應(yīng)用在12寸晶圓廠。