日本產業綜合研究所的科學家發現，在偶然進入發射原子的真空容器里的材料上可制成理想的單結晶膜結構絕緣層，其中含有鐵成份。經與半導體廠家佳能ANERUBA公司合作，粒子的性能提高了5倍，并可用現有設備制作，從而為實現下一代MRAM的大容量化開辟了道路。

       研究人員是在長15米的空氣密度僅為空氣10萬億分之一的超高真空密閉容器中，進行以鐵為材料的單晶膜試驗的。該項試驗的成功，將使下一代MRAM存儲器實現無限制高速讀寫式的存儲記憶，成為當前的DRAM的換代產品。

       據悉，目前的主要課題是夾在磁性材料之間的心臟部分——絕緣層的制作，以往的努力均未解決絕緣層與磁性材料之間的單結晶疊層課題。日立制作所和東北大學的研究人員經過摸索，發現可通過提高鐵的混合比獲得特性，從而為鐵作為半導體材料打開大門。研究還發現，只要將鐵的純度提高至99.9999%便可使鐵硅合金在不排出氟等有害物質的情況下制作半導體。東北大學的安彥兼次教授認為目前人們對鐵的特性認識還很不足，其實99.9999%的純鐵既不生銹也不會溶于酸。除此之外，安彥教授正與三菱重工、東京電力等企業進行火力發電廠的汽輪機耐腐蝕研究，純鐵不生銹的謎揭開之后，該項技術10年后有望投入實用。