我們平常說的芯片是多少納米制造工藝是什么意思？粵嵌西安arm學習班帶你了解制程工藝。

芯片的制造工藝常常用65nm、40nm、28nm、22/20nm、16/14nm、10nm來表示，比如高通驍龍625，麒麟650，Inte的7代酷睿系列CPU就采用14nm制造工藝，而目前的arm架構處理器驍龍835則采用三星的10nm制造工藝。現在的CPU內集成了以億為單位的晶體管，由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。

XX nm指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應晶體管柵極的寬度，也稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。每次制程工藝進步，制程減少至接近于1/√2，晶體管所占得面積將減小約一半；在芯片晶體管集成度相當的情況下，使用更先進的制造工藝，芯片的面積和功耗就越小，若在良品率比較高的情況下，成本也會越低。

柵長可以分為光刻柵長和實際柵長，光刻柵長則是由光刻技術所決定的。由于在光刻中光存在衍射現象以及芯片制造中還要經歷離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理等步驟，因此會導致光刻柵長和實際柵長不一致的情況。另外，同樣的制程工藝下，不同廠商的實際柵長也會不一樣，比如三星推出的14nm制程工藝芯片，但其芯片的實際柵長和Intel的14nm制程芯片的實際柵長依然有一定差距，發熱和功耗表現僅跟Intel的20nm相近。

由于能降低成本，CPU生產廠商不遺余力地減小晶體管柵極寬度，以提高在單位面積上所集成的晶體管數量。不過這種做法也會使電子移動的距離縮短，由于量子效應，容易導致晶體管內部電子自發通過晶體管通道的硅底板進行的從負極流向正極的運動。而且隨著芯片中晶體管數量增加，原本僅數個原子層厚的二氧化硅絕緣層會變得更薄進而導致泄漏更多電子，隨后泄漏的電流又增加了芯片額外的功耗，還會導致芯片良品率下降。所以近幾年的制程工藝進步逐漸放緩，除非有新的半導體替代材料，或是更有效的防止遂穿的手段，否則不會有較大的突破。

現在量子計算機，新材料半導體工藝等還處于概念階段，但我們還是可以展望的不遠的未來，隨著芯片繼續微型化，低成本化，嵌入式在我們的生活中會越來越普遍。以上是粵嵌西安arm學習班為大家帶來的制程工藝了解。