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      Intel稱閃存技術將淘汰 2010年被OUM取代

      更新時間: 2006-03-21 14:10:27來源: 粵嵌教育瀏覽量:1625

        3月10日消息,據外電報道,英特爾閃存部門戰略策劃經理Greg Komoto日前表示,到2010年,當前的閃存技術將逐漸被相變存儲OUM所取代。

        據英國媒體報道,Komoto日前表示,英特爾始終認為,與MRAM和FeRAM技術相比,Ovonic統一存儲(OUM),即相變存儲,是閃存的替代品。

        初,OUM由英特爾和Ovonyx聯合開發。2000年,英特爾入股Ovonyx。此后,Ovonyx先后向意法半導體、日本的Elpida,以及三星授權OUM存儲技術,作為閃存的潛在替代品。

        2002年,英特爾與Azalea Microelectronics合作,基于0.18微米工藝開發出了OUM芯片原型。此后,英特爾便獨自嘗試0.13微米工藝。英特爾開發OUM存儲早要追溯于1970年9月,當時由英特爾聯合創始人戈登-摩爾提出。

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