3月10日消息，據外電報道，英特爾閃存部門戰略策劃經理Greg Komoto日前表示，到2010年，當前的閃存技術將逐漸被相變存儲OUM所取代。

　　據英國媒體報道，Komoto日前表示，英特爾始終認為，與MRAM和FeRAM技術相比，Ovonic統一存儲（OUM），即相變存儲，是閃存的替代品。

　　初，OUM由英特爾和Ovonyx聯合開發。2000年，英特爾入股Ovonyx。此后，Ovonyx先后向意法半導體、日本的Elpida，以及三星授權OUM存儲技術，作為閃存的潛在替代品。

　　2002年，英特爾與Azalea Microelectronics合作，基于0.18微米工藝開發出了OUM芯片原型。此后，英特爾便獨自嘗試0.13微米工藝。英特爾開發OUM存儲早要追溯于1970年9月，當時由英特爾聯合創始人戈登-摩爾提出。