Rohm日前開發(fā)出采用導通電阻降至約為原來一半的SiC的功率MOSFET，并將于2006年內供應工業(yè)樣品。耐電壓900V，導通電阻為3.1mΩ.cm2。在SiC MOSFET中，導通電阻為全球小，只有耐電壓相同、采用硅的DMOS的約1/80或IGBT的約1/6。主要面向工業(yè)設備及混合動力車的馬達驅動電路及電源電路等。  

    據介紹，此次為降低導通電阻而進行的改進主要有2點。一是減小了芯片上集成的多個功率MOSFET單元的體積。單元面積從原來的16μm×16μm減小到了10μm×10μm。另一點是采用了可將溝道載流子遷移率提高至原來3倍～4倍的柵極絕緣膜形成工藝。  

    試制品的芯片尺寸為0.9mm×0.9mm。該公司介紹，通過將導通電阻大約降至原來的一半，成功地將芯片面積減小到了1/3～1/2左右。 

來源：電子工程專輯