Rohm日前開發(fā)出采用導通電阻降至約為原來一半的SiC的功率MOSFET,并將于2006年內供應工業(yè)樣品。耐電壓900V,導通電阻為3.1mΩ.cm2。在SiC MOSFET中,導通電阻為全球小,只有耐電壓相同、采用硅的DMOS的約1/80或IGBT的約1/6。主要面向工業(yè)設備及混合動力車的馬達驅動電路及電源電路等。
據介紹,此次為降低導通電阻而進行的改進主要有2點。一是減小了芯片上集成的多個功率MOSFET單元的體積。單元面積從原來的16μm×16μm減小到了10μm×10μm。另一點是采用了可將溝道載流子遷移率提高至原來3倍~4倍的柵極絕緣膜形成工藝。
試制品的芯片尺寸為0.9mm×0.9mm。該公司介紹,通過將導通電阻大約降至原來的一半,成功地將芯片面積減小到了1/3~1/2左右。
來源:電子工程專輯