飛思卡爾半導體日前憑借第七代高壓(HV7)射頻LDMOS技術，成功地取得了在3.5GHz頻段運行的符合WiMAX基站所需的射頻功率放大器性能。通過提供采用射頻LDMOS和GaAs PHEMT技術的功率晶體管，飛思卡爾的射頻解決方案能夠支持高功率無線基礎設施應用，其中LDMOS的性能高達3.8GHz，而GaAs PHEMT的性能則高達6GHz。

       首批3.5GHz LDMOS設備的樣品MRF7S38075H現已問世。它是一個75瓦特的P1dB射頻晶體管，平均功率為42dBm(16W)，滿足在3.5GHz頻段運行的WiMAX設備的性能要求。此外，40W和10W的P1dB 3.5GHz設備也將于近期面市。這三款射頻LDMOS設備擴大了飛思卡爾現有的射頻功率晶體管系列的產品陣容。同時，HV7 LDMOS設備完善了12V GaAs PHEMT設備的功能，使其能夠適應3.5GHz的WiMAX應用。而目前正在開發的新型高壓GaAs設備將在達6GHz的頻段運行，當運行電壓達到20V以上，GaAs設備能夠達到達100W的輸出功率，同時還能滿足數字調制系統的嚴格要求。據市場研究機構iSuppli公司估計，2006年全球WiMAX的市場份額約為10億美元，而2009年將達到20億美元。而中國的WiMAX市場將于2006年開始啟動，2010年中國的WiMAX用戶數有望達到300萬戶。