全球的芯片制造商英特爾公司日前表示，公司將利用的制造工藝，生產密度提高一倍、存儲容量達1GB的 NOR閃存芯片。
 
       英特爾公司閃存芯片團隊副總裁兼總經理Brian Harrison表示，英特爾公司65納米制造工藝的 NOR閃存芯片樣品將在本季度問世，預期今年年底新的閃存芯片能夠大量向手機制造商提供。采用65納米制造工藝的新型NOR 閃存芯片的存儲容量可以達到1GB，而當前采用90納米制造工藝生產的閃存芯片儲存容量為512MB。

       Harrison指出，英特爾公司通過采用堆疊技術目前可以銷售儲存容量為2GB的 NOR閃存芯片。隨著時間的推移，在采用45納米制造工藝后，儲存容量高達2GB閃存芯片的成本效益更高。

       閃存芯片不象DRAM儲存芯片那樣保存數據需要不斷的提供電能，它也和硬盤的構造不同，沒有旋轉的部分。因此閃存芯片被消費者廣泛用于手機、PDA和其他電子裝置中。由于NOR 型閃存芯片的可靠性和更快的讀取數據速度，它已經成為手機行業的儲存芯片。

       NAND閃存芯片的功能表現得更為強勁，它更大的存儲密度和更高的書寫速度在儲存卡和其他儲存裝置中獲得了優勢。市場調研機構iSuppli公司的調查統計數據顯示，在今年全部閃存產品的銷售收入中，NAND閃存芯片的比例預期將達到69%。而2004年NAND閃存芯片在整個收入中所占的比例為45%。

       英特爾公司與美光科技公司通過建立合資閃存企業進入了閃存市場，蘋果計算機公司的的數字音樂播放器iPod nano和Shuffle極大的推動了NAND閃存芯片市場的需求。蘋果計算機公司已經成為英特爾公司和 美光科技公司合資閃存企業的客戶。