今天，三星宣布量產(chǎn)70nm工藝制造的1GB Nand閃存。NAND閃存將被運(yùn)用多種數(shù)字產(chǎn)品以及移動(dòng)硬盤。

    三星表示今年利用NAND閃存優(yōu)勢(shì)的裝置將會(huì)變得越來越多，并且將會(huì)在2007年取得更大的影響。此前我們報(bào)道過，Intel的下一代移動(dòng)平臺(tái)將會(huì)用Nand Flash加速系統(tǒng)啟動(dòng)，減少耗電量。閃存的速度大幅改進(jìn)，根據(jù)三星電子表示他的Nand閃存能夠達(dá)到108M/s的持續(xù)讀取速度。