在正式導入新工藝或對現有工藝進行改良時，半導體廠商都會先在內存上做試驗，而Intel在臺北IDF上表示，他們已經成功使用65nm工藝生產出了頻率高達10.1GHz的存儲芯片。

       Intel數字企業事業部總經理Thomas M.Kilroy在IDF上展示了Intel的65nm工藝晶圓。利用改良后的65nm工藝，Intel已經能夠生產出10.1GHz的64Bit Register File Array存儲芯片，創造了業界新記錄，同時0.85V電壓下可穩定工作于4GHz，而且其延遲也由兩個循環降至一個循環，功耗更是只有42mW?？磥鞩ntel的65nm工藝已經達到了爐火純青的地步。

       此外，Intel已經利用45nm工藝完成了具備完整功能的152Mb SRAM芯片的開發，并將在2007年下半年正式導入新工藝。除了可進一步降低產品成本外，45nm相比65nm還能帶來20％的性能提升和30％的功耗下降。