賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconducot)推出業(yè)界四數(shù)據(jù)速率II+(QDRII+)和雙數(shù)據(jù)速率II+ (DDRII+)SRAM器件，據(jù)稱是世界上密度帶寬的存儲器件，比現(xiàn)有QDRII和DDRII的系統(tǒng)級帶寬大50%。這些存儲器加速了各種數(shù)據(jù)密集產(chǎn)品的讀寫功能，可用于交換機(jī)、路由器、服務(wù)器、存儲設(shè)備、無線基站和測試設(shè)備。

       QDRII+和DDRII+的工作速率高達(dá)500MHz，帶寬高于QDRII和DDRII，他們均使用相同占位引腳，封裝形式為165引腳FBGA封裝。這些SRAM的引腳與其它QDR聯(lián)盟的產(chǎn)品兼容，包括NEC、IDT、Renesas和三星。Cypress的QDRII+/DDRII+ SRAM均采用Cypress的90nm RAM9工藝技術(shù)制造。

       現(xiàn)在已經(jīng)推出72Mbit QDRII+/DDRII+樣品，批量生產(chǎn)將于2006年下半年開始，屆時將公布售價。