這個合作項目給IGBT和MOSFET等傳統功率組件創造了新的機會,其中包括ST獨有的ESBT® (發射極開關雙極晶體管)組件。ESBT融合了功率MOSFET和功率雙極晶體管結構,而且注重成本效益,兼有高壓能力和高速開關頻率。
SEMITOP®準許在一個封裝內集成幾顆芯片,例如:IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、二極管和輸入電橋整流器。封裝級集成技術有助于降低分立解決方案的組件數量和電路板空間,同時能夠確保模塊具有出色的連通性和內在的可靠性。由于采用先進的制造工藝和材料,例如:DBC(直接覆銅)陶瓷基板和內敷鍺層技術,新的功率模塊具有出色的熱管理和耐外部高溫以及抗機械應力的能力。
ST和Semikron合作開發的新的集成功率模塊定位于各種細分市場和應用領域,如電焊機、UPS、家電、電機驅動器和開關電源,以滿足這些市場對功率平臺的更高集成度和可靠性的日益增長的需求。
新的集成模塊將于2006年第二季度開始量產,ST和Semikron將通過各自獨立的渠道開展營銷活動,確保市場上有一個雙重的貨源,更好地為客戶提供這些產品。