瑞薩科技公司(Renesas Technology)日前發布了一種新技術，可以極大地改善用于網絡和通信設備，以及類似產品的內容可定址存儲器(CAM)器件的軟錯誤免疫性。這項新技術可滿足軟錯誤對策，尤其是由整個業界向更精細的半導體制造工藝節點轉移的趨勢所推動的高可靠性系統的重要市場需求。瑞薩的工程師已于9月20日在2005年IEEE定制集成電路會議(CICC)上提交的論文中宣布這一高可靠性CAM技術的細節。

    通過數據證實，一個整合了該技術并采用130納米CMOS工藝制作的144kbit三態(TCAM)測試芯片與沒有軟錯誤免疫性的芯片相比，采用這種技術在軟錯誤免疫性方面的表現改善了大約六位數。新的TCAM技術在可靠性方面實現了顯著的改善，而且并沒有犧牲搜索和路由時間。

    在開發這項新技術時，瑞薩的工程師們需要使用錯誤檢測和更正(ECC)電路。然而，為了達到這個目的，他們必須克服ECC是建立在讀操作基礎上，而且CAM中的大多數操作都是搜索，讀操作只是偶有發生這些難題。此外，工程師們不能使用增加噪聲免疫性的傳統方法——增加存儲節點的電容器容量和積累電荷，因為當結構工藝變得更精細時，CAM單元中存儲節點的電容器容量和積累負載將下降。

    為了顯著地改善軟錯誤免疫性，該技術使用了三個主要元件：將嵌入式DRAM與ECC集成在一起組成CAM器件，當CAM執行搜索操作時，DRAM部分周期性地出現刷新操作，在每個刷新周期中，ECC更正從CAM部分拷貝來的軟錯誤引起的錯誤DRAM數據，后來的數據就會將DRAM改寫為不包含軟錯誤的CAM，使存儲在該器件CAM部分的數據實現了高度的可靠性；提供一個在搜索期間有效地測量CAM軟錯誤率的測試電路，它對排列在一個列中的CAM單元執行大量多位測試，迅速和有效地檢測是否在該器件的CAM部分中存在由于軟錯誤引起的錯誤的位數據；增加了自動化CAM數據維護操作，避免了停止搜索操作去執行增加或刪除存儲在CAM里的數據，然后對相關的數據進行重新編排等例行程序所需的功能。新技術可在芯片的DRAM部分執行必須的數據維護操作，然后迅速將維護結果傳回到CAM中。