受到DRAM廠的DDR及DDR2產(chǎn)能調(diào)配，以及DRAM大廠的DRAM及NAND快閃記憶體的產(chǎn)能排擠等因素影響，四月以來DRAM現(xiàn)貨價格明顯向上拉高，其中又以DDR價格上漲動力強(qiáng)，有效測試（eTT）二五六Mb DDR昨（十八）日單日就大漲逾五％收二．三五美元。
       不過NAND快閃記憶體價格卻持續(xù)疲弱，不僅現(xiàn)貨價昨日全面走跌，四月合約價更出現(xiàn)重挫三五％以上的崩跌現(xiàn)象。集邦科技表示，DRAM在供給不足市況中，價格仍會驚驚漲，NAND則是供給過剩，價格未見止跌跡象。 
       雖然第二季是傳統(tǒng)個人電腦市場淡季，但是DRAM價格走勢卻是異常強(qiáng)勁，除了英特爾出清舊款八六五晶片組庫存，刺激DDR市場需求成長外，DRAM廠季大量將DDR產(chǎn)能轉(zhuǎn)向生產(chǎn)DDR2，已在近期造成DDR供給量嚴(yán)重吃緊，所以二五六Mb DDR近二周內(nèi)漲勢強(qiáng)勁，現(xiàn)貨價已拉高至二．三美元以上，現(xiàn)貨價與合約價間也形成代表景氣多頭的黃金交叉。
       被視為未來主流的DDR2，近期來自O(shè)EM電腦大廠的需求強(qiáng)勁，但現(xiàn)貨市場的需求卻還未被刺激出來。南亞科技副總經(jīng)理白培霖說，OEM電腦大廠已大量采用英特爾支援DDR2的新晶片平臺，對DDR2的需求量會愈來愈大，但對價格敏感的現(xiàn)貨市場，則要等到中低價位的超微支援DDR2的AM2平臺上市后，市場需求才會轉(zhuǎn)強(qiáng)。由于國內(nèi)外DRAM廠今年的位元成長率遠(yuǎn)低于歷史平均水準(zhǔn)，DDR2合約價未來大漲機(jī)率很高。
       相較于DRAM熱絡(luò)市況，NAND快閃記憶體市場卻還身陷價格崩跌的陰霾中。四月份主流容量的二Gb、四Gb、八Gb NAND快閃記憶體合約價，較三月份大跌逾三五％，且合約價平均來看均低于現(xiàn)貨價，出現(xiàn)約二成的價差空間。雖然近來現(xiàn)貨價有持穩(wěn)跡象，不過在合約價開低后，合約客戶在現(xiàn)貨市場套利的機(jī)率大增，現(xiàn)貨價看來還有下跌空間。
       NAND快閃記憶體合約價大跌，主因在于供應(yīng)商三星、東芝、Hynix等的九○奈米及七○奈米良率大幅拉高，導(dǎo)致出貨量在近幾周內(nèi)大量涌現(xiàn)，供給過剩的激烈競爭，自然會造成價格出現(xiàn)崩跌。
       不過隨著日本四月底的黃金周假期、大陸五一長假等假期將至，預(yù)計(jì)會帶動MP3播放機(jī)、數(shù)位相機(jī)等消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷售量，也會刺激出NAND龐大需求，所以NAND現(xiàn)貨市場交易量能已經(jīng)開始放大，整個市場景氣應(yīng)可在第二季筑底。