一位業內技術專家指出，CMOS將在未來的數十年內仍然是芯片工藝技術針對性能和成本的選擇。 
       德州儀器(Texas Instruments)DSP分部首席專家Gene Frantz表示，盡管過去10年里CMOS工藝和設備技術取得巨大進展，硅技術仍然在理論極限以下表現卓越。他相信，硅將繼續在許多年內充當前沿的半導體技術。Frantz表示：“硅仍然是技術，并將在成本考慮的許多年內依然如故。” 
       硅晶體管門長的理論極限大約為1.5nm，他指出：“看看當今的65nm CMOS工藝，其小門長為39nm，這仍然大于理論極限的25倍。”對于門延遲來說情況類似，門延遲決定了邏輯的基本速度。理論極限是0.04ps，短于當今65nm邏輯器件可實現延遲的24倍。 
       根據晶體管密度，極限是在一片芯片上集成每平方厘米15億只。這仍然比65nm CMOS器件所實現的大7倍。 
       Frantz認為，當CMOS技術接近其極限時，我們可能不能再應用摩爾定律來進行預測。性能不再是時鐘速度問題那么簡單，而且與結構并行程度有關。