ARM物理IP營銷副總裁Neal Carney表示：“通過這個協議，ARM和TSMC已經為未來全球設計團隊獲得高精技術奠定了基礎；兩家公司將共同致力于為用戶提供從設計到生產的無縫流程。ARM Advantage IP綜合套件和TSMC的制造技術的組合提供了能夠滿足SoC設計師對于性能和功耗管理要求的業界的解決方案?！?
TSMC設計服務營銷總監Ed Wan表示：“TSMC的客戶已經享受到TSMC先進的65納米技術所帶來的好處。隨著越來越多的設計師開始采用這個技術，對于高度集成同時使用簡便的IP的要求就變得越來越重要。通過ARM Access Library Program，設計師可以實現高價值、低風險和大大簡化的使用途徑?！?
ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表現，滿足消費電子、通訊和網絡市場眾多應用的需求。Advantage標準單元包括功耗管理工具包，實現動態和漏泄功耗節省技術，例如時鐘門控、多電壓分離和電能門控等。它還提供五個Advantage存儲編譯器，提供相似的功耗節省特性。該產品套件在擴展了的電壓范圍內對時鐘和功耗作了特殊設置，使得設計師可以完成多電壓設計的精確模擬。此外，ARM還將發布TSMC Nexsys I/O產品，從而提供完整的物理IP。
Advantage IP包含了ARM廣泛的views和模型集，提供了與眾多業界的EDA工具的整合。這些views在廣泛的運行條件下可以為Advantage產品提供功能、時鐘和功耗信息，使得設計師可以在SoC中實現能夠積極控制動態和漏泄功耗的復雜功耗管理系統。
TSMC 65納米技術的成功是建立在其業界的0.13微米和90納米技術的基礎上。TSMC預計2006年65納米產品將會有一個爆發式的增長。公司每2個月會啟動65納米的原型驗證試驗線，幫助客戶和EDA、IP和庫供應商就他們的設計進行原型試驗和驗證。
TSMC 65納米NexsysSM技術是其同時采用了銅互連和low-k絕緣技術的第三代半導體工藝。它是一個9層金屬工藝，核電壓1.0或1.2伏，I/O電壓1.8，2.5或3.3伏。與TSMC現有的90nm Nexsys工藝相比，這項新工藝技術可以將使標準單元門的密度翻倍。它同時還有很具競爭力的六晶體靜態隨機存取記憶體(6T SRAM)和單晶體嵌入式靜態隨機存取記憶體（1T embedded DRAM）這兩種存儲單元尺寸。此外，該技術還包括支持模擬和無線設計的混合信號和無線電頻率功能，支持邏輯和存儲整合的嵌入式高密度存儲，以及支持客戶加密需求的電子保險絲選項功能。