在2006年2月中市場便傳出三星電子（Samsung Electronics）為因應市場對DDRII需求，因而將部份產(chǎn)能由NAND型快閃記憶體（Flash）重新轉(zhuǎn)回DDRII，但這樣產(chǎn)能轉(zhuǎn)換效益并未出現(xiàn)，反倒是DRAM市場已出現(xiàn)供不應求狀態(tài)，DRAM現(xiàn)貨價未見持續(xù)走跌，反逆勢大漲，4日eTT（有效測試）報價正式突破2美元，且4月上半合約價走勢更優(yōu)于預期，先前現(xiàn)貨市場客戶因怕庫存跌價損失，均不敢大量買貨，此次則因現(xiàn)貨市場買氣出現(xiàn)，因而造成現(xiàn)貨市場價格暴漲，一般預料這波漲勢相當可期。
      　原本三星在2005年第四季便全力將產(chǎn)能由DRAM轉(zhuǎn)進到NAND型Flash，目的是希望藉由這樣的手段，達到嚇阻競爭對手低價競爭的目的，同時亦希望藉此鞏固NAND型Flash市場龍頭地位。不過到2006年季上半，市場卻誤傳三星將生產(chǎn)計畫做出重大調(diào)配，數(shù)以萬片的NAND型Flash月產(chǎn)能，調(diào)撥回去生產(chǎn)DDRII，且預計這樣產(chǎn)能轉(zhuǎn)換效應將自4月起陸續(xù)發(fā)酵，但如今這樣預期非但沒有成真，反倒出現(xiàn)截然不同的狀態(tài)。
      　NAND型Flash價格自年初以來，大多呈現(xiàn)漲少跌多狀態(tài)，到季底左右NAND型Flash價格已跌價近50％，相反的，DRAM顆粒報價卻出乎市場預期，非但未見價格重大下滑，無論是在合約價及現(xiàn)貨價，均優(yōu)于市場預期，跌破市場分析師眼鏡。究其因，恐與當初釋放出三星調(diào)回DDRII產(chǎn)能的“煙霧彈”脫不了關系，造成市場誤判。
      　根據(jù)DRAMeXchange于周二（4日）收盤時報價指出，eTT的DRAM報價近2日漲勢相當兇猛，主要原因在于三星未將產(chǎn)能由NAND型Flash轉(zhuǎn)進標準型DRAM，而此一后續(xù)效應目前已開始發(fā)酵，就連原本在DRAM現(xiàn)貨市場顯得泠清的DDRII，同樣已出現(xiàn)止跌回升訊號，代表DRAM市場似乎開始進入雨過天晴狀態(tài)。
      　DRAM廠則指出，原本市場預期4月周力晶便會開盤將DRAM顆粒賣出，不過這樣的預期卻完全出乎意料之外，力晶非但未如當初所預期開盤賣出，更將手上貨源全盤鎖貨，導致下游客戶端無貨可買，據(jù)了解，目前買盤尤其是美國市場部份，由于美光（Micron）在DRAM產(chǎn)出量轉(zhuǎn)進NAND型Flash而出現(xiàn)減少，美國現(xiàn)貨市場客戶為了買貨紛紛追回亞洲市場補貨，在此供應減少、需求增加的情況下，自然造成DRAM現(xiàn)貨市場價格狂飆狀態(tài)。
      　周二美光股價大漲4.96％，三星、海力士（Hynix）亦勁揚，DRAM類股全面走升，繼華亞科公布3月營收創(chuàng)下歷史新高后，力晶、茂德、南亞科也將陸續(xù)公布財報，由于四雄3月營收全數(shù)成長，加上本月DRAM價格持續(xù)走穩(wěn)，產(chǎn)業(yè)景氣有落底回溫跡象。