在2006年2月中市場便傳出三星電子（Samsung Electronics）為因應市場對DDRII需求，因而將部份產能由NAND型快閃記憶體（Flash）重新轉回DDRII，但這樣產能轉換效益并未出現，反倒是DRAM市場已出現供不應求狀態，DRAM現貨價未見持續走跌，反逆勢大漲，4日eTT（有效測試）報價正式突破2美元，且4月上半合約價走勢更優于預期，先前現貨市場客戶因怕庫存跌價損失，均不敢大量買貨，此次則因現貨市場買氣出現，因而造成現貨市場價格暴漲，一般預料這波漲勢相當可期。
      　原本三星在2005年第四季便全力將產能由DRAM轉進到NAND型Flash，目的是希望藉由這樣的手段，達到嚇阻競爭對手低價競爭的目的，同時亦希望藉此鞏固NAND型Flash市場龍頭地位。不過到2006年季上半，市場卻誤傳三星將生產計畫做出重大調配，數以萬片的NAND型Flash月產能，調撥回去生產DDRII，且預計這樣產能轉換效應將自4月起陸續發酵，但如今這樣預期非但沒有成真，反倒出現截然不同的狀態。
      　NAND型Flash價格自年初以來，大多呈現漲少跌多狀態，到季底左右NAND型Flash價格已跌價近50％，相反的，DRAM顆粒報價卻出乎市場預期，非但未見價格重大下滑，無論是在合約價及現貨價，均優于市場預期，跌破市場分析師眼鏡。究其因，恐與當初釋放出三星調回DDRII產能的“煙霧彈”脫不了關系，造成市場誤判。
      　根據周二（4日）收盤時報價指出，eTT的DRAM報價近2日漲勢相當兇猛，主要原因在于三星未將產能由NAND型Flash轉進標準型DRAM，而此一后續效應目前已開始發酵，就連原本在DRAM現貨市場顯得泠清的DDRII，同樣已出現止跌回升訊號，代表DRAM市場似乎開始進入雨過天晴狀態。
      　DRAM廠則指出，原本市場預期4月周力晶（5346）便會開盤將DRAM顆粒賣出，不過這樣的預期卻完全出乎意料之外，力晶非但未如當初所預期開盤賣出，更將手上貨源全盤鎖貨，導致下游客戶端無貨可買，據了解，目前買盤尤其是美國市場部份，由于美光（Micron）在DRAM產出量轉進NAND型Flash而出現減少，美國現貨市場客戶為了買貨紛紛追回亞洲市場補貨，在此供應減少、需求增加的情況下，自然造成DRAM現貨市場價格狂飆狀態。
      　周二美光股價大漲4.96％，三星、海力士（Hynix）亦勁揚，DRAM類股全面走升，繼華亞科（3474）公布3月營收創下歷史新高后，力晶、茂德（5387）、南亞科（2408）也將陸續公布財報，由于四雄3月營收全數成長，加上本月DRAM價格持續走穩，產業景氣有落底回溫跡象。