市場調(diào)研公司IC Insights的分析師Rob Lineback日前指出，消費電子設備的低電壓運行、電池壽命延長和能量保護需要，將推動功率晶體管市場在2007年達成創(chuàng)紀錄的規(guī)模。
        價格下滑和單位出貨量增長大幅放緩，導致2005年功率晶體管銷售額比2004年創(chuàng)下的紀錄81億美元下降4.6%，至77億美元。但是，這種下滑將是短期現(xiàn)象。功率晶體管銷售額2006年預計增長3%左右，2007年進一步增長9%，從而使明年的全球銷售額達到新的紀錄高位87億美元。
        功率晶體管在汽車電子、個人電腦、手機、工業(yè)設備、家用電器、消費電子和許多電池驅(qū)動的便攜產(chǎn)品領(lǐng)域中的應用穩(wěn)步擴展。據(jù)IC Insights，預計1990-2010年功率晶體管市場的復合年增率為8%，2010年將達到105億美元。而同期總體分立半導體市場的復合年增率預計為5%。
        2005年功率晶體管在157億美元的分立半導體市場中約占50%。IC Insights預測，2010年分立半導體銷售額預計達到196億美元，功率晶體管將占其中的54%。
        雖然集成度不斷提高的趨勢繼續(xù)導致更多的晶體管功能被整合到IC之中，但實際上許多系統(tǒng)應用中的分立功率器件的數(shù)量都在增加。
        2005-2010年低電壓功率MOSFET銷售額的復合年增率預計為6%，2010年銷售額達到43億美元。電壓高于200V的功率MOSFET銷售額的復合年增率預計超過9%，2010年達到17億美元。IGBT預計將成為2005-2010年增長快的功率晶體管領(lǐng)域。IC Insights預測2006年總體IGBT銷售額達到16億美元，增長14%。